是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DO-213AA |
包装说明: | O-LELF-R2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.92 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-213AA |
JESD-30 代码: | O-LELF-R2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 0.4 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.6 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 225 V |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LL646 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 300V V(RRM), Silicon, DO-213AA, GLASS, MELF-2 | |
LL646-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 300V V(RRM), Silicon, DO-213AA, GLASS, MELF-2 | |
LL647 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | |
LL647-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 400V V(RRM), Silicon, DO-213AA, GLASS, MELF-2 | |
LL648-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 500V V(RRM), Silicon, DO-213AA, GLASS, MELF-2 | |
LL649 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | |
LL649-1 | ETC |
获取价格 |
Standard Rectifier (trr more than 500ns) | |
LL658R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, | |
LL658X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, | |
LL659R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, |