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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 120 V | 最大反向恢复时间： | 0.3 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LL659R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, |
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| LL659X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, |
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| LL660R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, |
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| LL660X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, |
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| LL661 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 240V V(RRM), Silicon, |
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| LL661R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 240V V(RRM), Silicon, |
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| LL661X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 240V V(RRM), Silicon, |
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| LL6650 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB |
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| LL700 | SEMTECH |
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SILICON EXPITAXIAL PLANAR TYPE SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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| LL700 | GXELECTRONICS |
获取价格 |
SMALL SINGAL SCHOTTKY DIODES |
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