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LH53B16R00

更新时间： 2024-02-17 19:38:19
品牌 Logo 应用领域
夏普 - SHARP /
页数 文件大小 规格书
6页 60K
描述
CMOS 16M (1M x 16/512K x 32) MROM

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LH53B16R00 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：0.500 INCH, PLASTIC, SSOP-70Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：120 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G70
JESD-609代码：e0长度：28.6 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：70字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：12.7 mm
Base Number Matches：1

LH53B16R00 数据手册

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LH53B16R00  
CMOS 16M (1M × 16/512K × 32) MROM  
FEATURES  
PIN CONNECTIONS  
• 1,048,576 × 16 bit organization  
(Word mode: W = VIL)  
70-PIN SSOP  
TOP VIEW  
524,288 × 32 bit organization  
(Double Word mode: W = VIH)  
A0  
A1  
A2  
1
2
3
70 NC  
69  
68  
67  
66  
NC  
NC  
W
• Access time: 120 ns (MAX.)  
A3  
A4  
A5  
4
Access time in page mode: 50 ns (MAX.)  
5
OE  
6
65 CE  
• Supply current:  
VCC  
D0  
7
64  
63  
62  
61  
60  
GND  
D31/A-1 (NOTE)  
– Operating: 180 mA (MAX.)  
– Standby: 300 µA (MAX.)  
8
D16  
D1  
D15  
D30  
D14  
9
10  
11  
• TTL compatible I/O  
• Three-state outputs  
• Single +5 V power supply  
• Static operation  
D17  
GND 12  
59 GND  
VCC  
D2  
VCC  
D29  
13  
14  
58  
57  
D18  
D3  
D13  
D28  
D12  
D27  
15  
16  
17  
18  
56  
55  
54  
53  
• Package:  
D19  
D4  
70-pin, 500-mil SSOP  
D20  
D5  
D11  
D26  
D10  
19  
20  
21  
52  
51  
50  
• Others:  
– Non programmable  
– Not designed or rated as radiation  
– hardened  
– CMOS process (P type silicon  
substrate)  
D21  
GND  
VCC  
D6  
22  
49 GND  
VCC  
D25  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
D22  
D7  
D9  
D24  
D8  
D23  
DESCRIPTION  
VCC  
NC  
A18  
A17  
GND  
A6  
The LH53B16R00 is a 16M-bit CMOS mask ROM  
(mask-programmable-read-only memory) organized as  
1,048,576 × 16 bits (Word mode) or 524,288 × 32 bits  
(Double Word mode). It is fabricated using silicon-gate  
CMOS process technology.  
A7  
A8  
A9  
A10  
A11  
A12  
A16  
A15  
A14  
A13  
32  
33  
34  
35  
39  
38  
37  
36  
NOTE: D31/A-1 pin becomes LSB address input (A-1) when the  
W pin is set to be LOW in word mode, and data output  
(D31) when set to be HIGH in double word mode.  
53B16R00-1  
Figure 1. Pin Connections  
1
123456

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