5秒后页面跳转
LH53BV32900N PDF预览

LH53BV32900N

更新时间: 2024-01-10 06:08:03
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管有原始数据的样本ROM
页数 文件大小 规格书
6页 157K
描述
x16 or x32 ROM (Mask Programmable)

LH53BV32900N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:0.500 INCH, PLASTIC, SSOP-70Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G70JESD-609代码:e0
长度:28.6 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:70
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.1 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:12.7 mmBase Number Matches:1

LH53BV32900N 数据手册

 浏览型号LH53BV32900N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LH53BV32900N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号LH53BV32900N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号LH53BV32900N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号LH53BV32900N的Datasheet PDF文件第6页 
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与LH53BV32900N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LH53BV32R00M SHARP

获取价格

MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100
LH53BV32R00N ETC

获取价格

x16 or x32 ROM (Mask Programmable)
LH53BV64900N SHARP

获取价格

MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO70, SSOP-70
LH53BV64900T SHARP

获取价格

MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO70, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-70
LH53BV64R00N SHARP

获取价格

MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO70, SSOP-70
LH53BV64R00T SHARP

获取价格

MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO70, TSOP2-70
LH53BV8600D SHARP

获取价格

MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP42, DIP-42
LH53BV8600N SHARP

获取价格

MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44
LH53BV8600T SHARP

获取价格

MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48
LH53BV8P00D SHARP

获取价格

MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP42, DIP-42