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LH532000BN-12

更新时间: 2024-02-23 13:05:34
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管有原始数据的样本ROM
页数 文件大小 规格书
7页 180K
描述
x8 or x16 ROM (Mask Programmable)

LH532000BN-12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:0.525 INCH, PLASTIC, SOP-40Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.76Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns备用内存宽度:16
JESD-30 代码:R-PDSO-G40JESD-609代码:e0
长度:26.3 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.1 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11.3 mmBase Number Matches:1

LH532000BN-12 数据手册

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