Datasheet > 存储 > MASK ROM> LH531000B

LH531000B

更新时间： 2024-01-10 14:28:40

品牌	Logo	应用领域
夏普 - SHARP		/
页数	文件大小	规格书
6页	54K
描述
CMOS 1M (128K x 8) MROM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

LH531000B 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	最长访问时间：	500 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

LH531000B 数据手册

LH531000B

CMOS 1M (128K × 8) MROM

FEATURES

DESCRIPTION

The LH531000B is a mask-programmable ROM

organized as 131,072 × 8 bits. It is fabricated using

silicon-gate CMOS process technology.

• 131,072 words × 8 bit organization

• Access time: 150 ns (MAX.)

• Low power consumption:

Operating: 192.5 mW (MAX.)

Standby: 550 µW (MAX.)

PIN CONNECTIONS

28-PIN DIP

28-PIN SOP

TOP VIEW

• Programmable CE/OE/OE

• Static operation

A₁₅

A₁₂

A₇

V_CC

A₁₄

A₁₃

A₈

• TTL compatible I/O

• Three-state outputs

• Single +5 V power supply

A₆

A₅

A₄

A₃

A₂

A₁

A₉

A₁₁

A₁₆

A₁₀

CE /OE/OE

• Packages:

D₇

D₆

D₅

D₄

D₃

A₀10

D₀

D₁12

28-pin, 600-mil DIP

28-pin, 450-mil SOP

D₂

• Mask ROM specific pinout

GND

531000B-1

Figure 1. Pin Connections for DIP and

SOP Packages

12 3 4 5 6

下载PDF

与LH531000B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
LH531000BD	ETC	x8 ROM (Mask Programmable)	获取价格
LH531000BD-15	ETC	x8 ROM (Mask Programmable)	获取价格
LH531000BM-15	ETC	x8 ROM (Mask Programmable)	获取价格
LH531000BN	ETC	x8 ROM (Mask Programmable)	获取价格
LH531000BN-15	ETC	x8 ROM (Mask Programmable)	获取价格
LH531000BN-S	SHARP	MASK ROM, 128KX8, 500ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28	获取价格