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LH28F800BVB-TTL90

更新时间： 2024-10-01 22:27:59

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LH28F800BVB-TTL90 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	8 X 8 MM, PLASTIC, CSP, FBGA-48	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	最长访问时间：	90 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
JESD-30 代码：	S-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.05 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

PRODUCT SPECIFICATIONS

Integrated Circuits Group

LH28F800BVB-TTL90

Flash Memory

8M (1M × 8/512K × 16)

(Model No.: LHF80V07)

Spec No.: EL114067

Issue Date: August 27, 1999

12 3 4 5 6 7...42

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LH28F800BVE-BTL90	SHARP	获取价格	8M Flash Memory
LH28F800BVE-TTL90	SHARP	获取价格	8M Flash Memory
LH28F800BVE-TV85	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
LH28F800BVHE-BTL90	SHARP	获取价格	Flash Memory 8M (1M 】8/512K x 16)
LH28F800BVHE-BV85	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
LH28F800BVHE-TTL90	SHARP	获取价格	Flash Memory 8M (1M x 8/512K x 160
LH28F800SG	SHARP	获取价格	8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memory
LH28F800SGB-L10	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
LH28F800SGB-L100	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM
LH28F800SGB-L70	ETC	获取价格	x16 Flash EEPROM