是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 12 X 20 MM, TSOP-48 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.42 | 最长访问时间: | 90 ns |
备用内存宽度: | 8 | 启动块: | BOTTOM |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 8,15 |
端子数量: | 48 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/3.3 V | 编程电压: | 2.7 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 8K,64K |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
LH28F800BVHE-BTL90 | SHARP |
功能相似 ![]() |
Flash Memory 8M (1M 】8/512K x 16) |
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TE28F800B3B90 | INTEL |
功能相似 ![]() |
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LH28F800BVE-TTL90 | SHARP |
获取价格 |
8M Flash Memory |
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LH28F800BVE-TV85 | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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LH28F800BVHE-BTL90 | SHARP |
获取价格 |
Flash Memory 8M (1M 】8/512K x 16) |
![]() |
LH28F800BVHE-BV85 | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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LH28F800BVHE-TTL90 | SHARP |
获取价格 |
Flash Memory 8M (1M x 8/512K x 160 |
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LH28F800SG | SHARP |
获取价格 |
8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memory |
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LH28F800SGB-L10 | ETC |
获取价格 |
x16 Flash EEPROM |
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LH28F800SGB-L100 | ETC |
获取价格 |
x16 Flash EEPROM |
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LH28F800SGB-L70 | ETC |
获取价格 |
x16 Flash EEPROM |
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LH28F800SGE | SHARP |
获取价格 |
Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-48 |
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