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LGE3D50120H

更新时间： 2023-12-06 20:10:02

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碳化硅肖特基

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LGE3D50120H 数据手册

LGE3D50120H

Silicon Carbide SchottkyDiode

Electrical Characteristics

Max Unit

Parameter

DC Blocking Voltage

Symbol

Test conditions

T_J= 25°C

Min

1200

Typ

V_DC

I_F= 50A, T_J= 25°C

I_F= 50A, T_J= 125°C

I_F= 50A, T_J= 175°C

V_R= 1200V, T_J= 25°C

V_R= 1200V, T_J= 125°C

V_R= 1200V, T_J= 175°C

1.40

1.65

1.85

180

540

1.7

Forward Voltage

V_F

200

Reverse Current

I_R

Total Capacitive Charge

Q_C

V_R= 800V, T_J= 25°C

310

3620

293

V_R= 1V, T_J= 25°C,

Freq = 1MHz

V_R= 400V, T_J= 25°C,

Freq = 1MHz

Total Capacitance

V_R= 800V, T_J= 25°C,

Freq = 1MHz

207

Note: This is a majority carrier diode, so there is no reverse recovery charge

Thermal Characteristics

Max Unit

Parameter

Symbol

Condition

Min

Typ

Thermal Resistance

R_th(j-c)

junction-case

0.24

⁰C/W

http://www.lgesemi.com

Revision:20230214-P2

mail:lge@lgesemi.com

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