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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.82 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.0002 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.0002 µA | 最小共模抑制比： | 80 dB |
| 标称共模抑制比： | 100 dB | 频率补偿： | YES (AVCL>=5) |
| 最大输入失调电压： | 13000 µV | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 9.817 mm |
| 低-偏置： | YES | 低-失调： | NO |
| 负供电电压上限： | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | +-15 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 标称压摆率： | 50 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier | 最大压摆率： | 10 mA |
| 供电电压上限： | 18 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽： | 20000 kHz | 最小电压增益： | 15000 |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LF357N/A+ | TI |
获取价格 |
IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,PLASTIC |
|
| LF357N/B+ | TI |
获取价格 |
IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,PLASTIC |
|
| LF357T | NXP |
获取价格 |
IC OP-AMP, MBCY8, Operational Amplifier |
|
| LF35AB | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATORS WITH INHIBIT |
|
| LF35ABDT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATORS WITH INHIBIT |
|
| LF35ABDT-TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Very low drop voltage regulators with inhibit |
|
| LF35ABP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATORS WITH INHIBIT |
|
| LF35ABPT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATORS WITH INHIBIT |
|
| LF35ABPT-TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Very low drop voltage regulators with inhibit |
|
| LF35ABV | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATORS WITH INHIBIT |
|
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