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LED56F

更新时间: 2024-11-28 22:31:23
品牌 Logo 应用领域
QT 半导体红外LED光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 237K
描述
GAAS INFRARED EMITTIN DIODE

LED56F 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:HERMETICALLY SEALED, TO-46, 2 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.12Is Samacsys:N
配置:SINGLE最大正向电流:0.1 A
最大正向电压:1.7 VJESD-609代码:e0
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT功能数量:1
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
光电设备类型:INFRARED LED标称输出功率:1.5 mW
峰值波长:940 nm最长响应时间:3e-7 s
最大反向电压:3 V半导体材料:GaAs
形状:ROUND尺寸:4.67 mm
光谱带宽:6e-8 m子类别:Infrared LEDs
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

LED56F 数据手册

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