是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | WDIP, DIP24,.6 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.52 | 最长访问时间: | 450 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 32.004 mm |
内存密度: | 32768 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 4KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP24,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 21 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 子类别: | EPROMs |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LD274 | INFINEON |
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GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter | |
LD-274 | OSRAM |
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GaAs Infrared Emitter | |
LD274-2 | INFINEON |
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GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter | |
LD274-3 | INFINEON |
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GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter | |
LD275-1 | ETC |
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Optoelectronic | |
LD275-2 | ETC |
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Optoelectronic | |
LD275-3 | ETC |
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Optoelectronic | |
LD2764A | INTEL |
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64K(8K x 8) UV ERASABLE PROMs | |
LD2764A2 | INTEL |
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UVPROM, 8KX8, 200ns, MOS, CDIP28 | |
LD2764A25 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 8KX8, 250ns, MOS, CDIP28, |