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LCE8.0-E3/23

更新时间： 2024-11-29 20:10:03

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威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
5页	81K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN

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LCE8.0-E3/23 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.61
其他特性：	UL RECOGNIZED	最大击穿电压：	10.9 V
最小击穿电压：	8.89 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	6.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	8 V
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
Base Number Matches：	1

LCE8.0-E3/23 数据手册

LCE6.5 thru LCE28A

Vishay General Semiconductor

Low Capacitance TRANSZORB^®Transient Voltage Suppressors

FEATURES

• Glass passivated chip junction

• 1500 W peak pulse power capability with a

10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty cycle):

0.01 %

• Excellent clamping capability

• Very fast response time

• Low incremental surge resistance

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

Case Style 1.5KE

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

Use in sensitive electronics protection against voltage

transients induced by inductive load switching

and lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor

units for consumer, computer, industrial and

telecommunication.

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

V_WM

P_PPM

P_D

6.5 V to 28 V

1500 W

6.5 W

MECHANICAL DATA

T_jmax.

175 °C

Case: Molded epoxy body over passivated junction

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade

Polarity: Color band denotes TVS cathode end

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

Minimum 1500 ^(1,2)

6.5

UNIT

Peak pulse power dissipation with a 10/1000 µs waveform

Power dissipation on infinite heatsink at T_L= 75 °C (Fig. 2)

Peak power pulse surge current with a 10/1000 µs waveform ^(1,3)

Operating junction and storage temperature range

P_PPM

P_D

I_PPM

see next table

- 65 to + 175

T_J, T_STG

°C

Note:

(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T_A= 25 °C per Fig. 2

(2) See Figure 1

(3) See Figure 2

Document Number 88357

07-Jun-06

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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