Datasheet > L7CL199HMB25

L7CL199HMB25

更新时间： 2024-11-16 13:49:35

品牌	Logo	应用领域
逻辑 - LOGIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	293K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

L7CL199HMB25 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP28,.6
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	25 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
长度：	35.56 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	4.953 mm
最大待机电流：	0.0002 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
L7CL199HMB45	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7CL199IC15	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
L7CL199IC-15	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7CL199IC20	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
L7CL199IC-20	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7CL199IC25	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
L7CL199IC-25	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7CL199IC-35	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7CL199IC-45	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7CL199IM20	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28