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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 15 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 36.83 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.185 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| L7CL185IME20 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| L7CL185IME25 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 |
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| L7CL185IME35 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| L7CL185KC10 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 10ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28 |
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| L7CL185KC25 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| L7CL185KC35 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28 |
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| L7CL185KM12 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28 |
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| L7CL185KM35 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| L7CL185KMB12 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| L7CL185KMB35 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28 |
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