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KV2801

更新时间： 2025-08-19 22:47:27

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ASI		二极管变容二极管
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1页	20K
描述
SILICON HYPERABRUPT TUNING VARACTOR

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KV2801 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-7
包装说明：	O-XALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.16
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	10.71%	最小二极管电容比：	5.2
标称二极管电容：	28 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码：	DO-7	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最小质量因数：	200
最大重复峰值反向电压：	22 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	变容二极管分类：	HYPERABRUPT
Base Number Matches：	1

KV2801 数据手册

KV2801

SILICON HYPERABRUPT TUNING VARACTOR

PACKAGE STYLE DO-7

DESCRIPTION:

The ASI KV2801 is a Silicon

Hyperabrupt Tuning Varactor Diode

Designed for UHF Applications up to

800 MHz.The Cathode is Indicated by

a Color Band.

MAXIMUM RATINGS

I_F

V_R

40 mA

22 V

P_DISS

T_J

200 mW @ T_A= 25 °C

-55 °C to +175 °C

T_STG

NONE

CHARACTERISTICS ^T_A^{= 25 °C}

SYMBOL

V_R

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_R= 10 µA

I_R

V_R= 20 V

100

µA

C_T3

C_T8

V_R= 3.0 V

V_R= 8.0 V

V_R= 20 V

f = 1.0 MHz

13.5

5.1

C_T20

4.5

4.8

∆C_T

V_R= 3 to 20 V

V_R= 3.0V

f = 1.0 MHz

f = 50 MHz

5.2

5.7

6.1

RATIO

200

250

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KV2801-17	MICROSEMI	获取价格	Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 110pF C(T), 22V, Silicon, Hyperabrupt, R
KV2801-30	MICROSEMI	获取价格	Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 155pF C(T), 22V, Silicon, Hyperabrupt, R
KV2801A	MICROSEMI	获取价格	Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 28pF C(T), 22V, Silicon, Hyperabrupt, DO
KV2801A-00	MICROSEMI	获取价格	Variable Capacitance Diode, 28pF C(T)
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