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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSR2101
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KSR2101

更新时间： 2024-09-19 22:47:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 57K
描述
Switching Application

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KSR2101 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.92其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

KSR2101 数据手册

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KSR2101  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
3
Built in bias Resistor (R =4.7KΩ, R =4.7KΩ)  
1
2
Complement to KSR1101  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Equivalent Circuit  
C
Marking  
R1  
B
R51  
R2  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
E
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-50  
V
CEO  
EBO  
-10  
V
I
-100  
200  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-50  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I = -10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I = -100µA, I =0  
-50  
C
B
I
V
= -40V, I =0  
-0.1  
-0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
= -5V, I = -10mA  
20  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -10mA, I = -0.5mA  
V
CE  
C
B
f
V
= -5mA, I = -10V  
250  
5.5  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
= -10V, I =0  
E
ob  
CB  
f=1.0MHz  
V (off)  
Input Off Voltage  
Input On Voltage  
Input Resistor  
V
V
= -5V, I = -100µA  
-0.5  
V
V
I
CE  
CE  
C
V (on)  
= -0.3V, I = -20mA  
-3  
I
C
R
3.2  
0.9  
4.7  
1
6.2  
1.1  
KΩ  
1
R /R  
Resistor Ratio  
1
2
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
1234

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