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KSP8097J05Z

更新时间： 2024-09-29 14:43:07

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	33K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3 PIN

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KSP8097J05Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KSP8097J05Z 数据手册

KSP8097

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

AMPLIFIER TRANSISTOR

· Collector-Emitter Voltage: V_CEO=25V

· Collector Dissipation: P_C(max)=625mW

TO-92

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

V_CBO

200

625

°C

V_CEO

V_EBO

I_C

P_C

T_J

150

-55 ~ 150

T_STG

· Refer to 2N5088 for graphs

1. Emitter 2. Base 3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

*Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

BV_CEO

I_CBO

I_C=100mA, I_B=0

V_CB=40V, I_E=0

V_CB=60V, I_E=0

V_BE=6V, I_C=0

I_C=100mA, V_CE=5V

V_CB=5V, I_E=0

700

Emitter Cut-off Current

*DC Current Gain

Output Capacitance

I_EBO

h_FE

C_OB

250

f=1MHz

*Base-Emitter On Voltage

Noise Figure

I_C=100mA, V_CE=5V

R_S=10KW, f=10Hz

V_CE(sat)

0.65

0.45

* Pulse Test: Pulse Width£300ms, Duty Cycle£2%

Rev. B

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

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