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KSP8099TA PDF预览

KSP8099TA

更新时间： 2024-02-02 19:08:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 35K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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KSP8099TA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.21最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：75JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

KSP8099TA 数据手册

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KSP8098/8099  
Amplifier Transistor  
•
Collector-Emitter Voltage: V  
= KSP8098: 60V  
CEO  
KSP8099: 80V  
•
•
Collector Power Dissipation: P (max)=625mW  
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KSP8098  
: KSP8099  
60  
80  
V
V
CEO  
EBO  
: KSP8098  
: KSP8099  
60  
80  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
6
500  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I =100µA, I =0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
: KSP8098  
: KSP8099  
60  
80  
V
V
BV  
BV  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I =10mA, I =0  
C B  
: KSP8098  
: KSP8099  
60  
80  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I =10µA, I =0  
6
V
E
C
I
Collector Cut-off Current  
: KSP8098  
CBO  
V
=60V, I =0  
=80V, I =0  
E
100  
100  
nA  
nA  
CB  
CB  
E
: KSP8099  
V
V
V
I
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
=60V, I =0  
100  
100  
300  
nA  
nA  
CEO  
CE  
EB  
B
=6V, I =0  
EBO  
C
h
V
V
V
=5V, I =1mA  
100  
100  
75  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
=5V, I =10mA  
C
=5V, I =100mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I =100mA, I =5mA  
0.4  
0.3  
V
V
CE  
BE  
C
B
I =100mA, I =10mA  
C
B
* Base-Emitter On Voltage  
: KSP8098  
V
V
=5V, I =1mA  
=5V, I =10mA  
C
0.5  
0.6  
0.7  
0.8  
V
V
CE  
CE  
C
: KSP8099  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
=5V, I =10mA  
150  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
C
V
=5V, I =0  
6
pF  
ob  
CB  
E
f=1MHz  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, July 2001  
1234

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KSP8099TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSP8099BU FAIRCHILD

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
KSP8099TF FAIRCHILD

完全替代

 暂无描述
MPS8099RLRAG ONSEMI

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSP8099TF FAIRCHILD

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 		暂无描述
KSP8598 FAIRCHILD

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 		Amplifier Transistor
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