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KSP6602

更新时间: 2024-01-04 06:50:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 46K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

KSP6602 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

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