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KSP75 PDF预览

KSP75

更新时间： 2024-01-09 08:05:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 34K
描述
Darlington Transistor

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KSP75 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：10000
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSP75 数据手册

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KSP75/76/77  
Darlington Transistor  
•
Collector-Emitter Voltage: V  
= KSP75: 40V  
CES  
KSP76: 50V  
KSP77: 60V  
•
Collector Power Dissipation: P (max)=625mW  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
CES  
: KSP75  
: KSP76  
: KSP77  
-40  
-50  
-60  
V
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-10  
-500  
V
EBO  
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
C
T
T
150  
J
-55~150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I = -100µA, I =0  
CEO  
C
B
: KSP75  
: KSP76  
: KSP77  
-40  
-50  
-60  
V
V
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I = -100µA, I =0  
C E  
CBO  
: KSP75  
: KSP76  
: KSP77  
-40  
-50  
-60  
V
V
V
I
Collector Cut-off Current  
: KSP75  
nA  
nA  
nA  
nA  
CBO  
V
V
V
= -30V, I =0  
-100  
-100  
-100  
CE  
CE  
CE  
E
: KSP76  
: KSP77  
= -40V, I =0  
E
= -50V, I =0  
E
I
I
Emitter Cut-off Current  
V
= -10V, I =0  
-100  
nA  
EBO  
CE  
B
Collector Cut-off Current  
: KSP75  
CES  
V
V
V
= -30V, I =0  
-500  
-500  
-500  
nA  
nA  
nA  
CE  
CE  
CE  
E
: KSP76  
: KSP77  
= -40V, I =0  
E
= -50V, I =0  
E
h
DC Current Gain  
V
V
= -5V, I = -10mA  
10K  
10K  
FE  
CE  
CE  
C
= -5V, I = -100mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -100mA, I = -0.1mA  
-1.5  
2
V
V
CE  
C
B
V
= -5V, I = -100mA  
C
BE  
CE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, July 2001  
1234

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KSP75 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SD1835 SANYO

功能相似

 High-Current Switching Applications
2SC2240 TOSHIBA

功能相似

 TRANSISTOR (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS)

与KSP75相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSP75D26Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
KSP75D27Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
KSP75D74Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
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 		Darlington Transistor
KSP76D26Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
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