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KSP20

更新时间: 2024-11-24 20:49:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 115K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92

KSP20 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:0.65 pF集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.35 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):620 MHz
Base Number Matches:1

KSP20 数据手册

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