KSD261YBU

更新时间： 2024-02-29 09:49:11

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器
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Low Frequency Power Amplifier

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KSD261YBU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KSD261YBU 数据手册

KSD261

Low Frequency Power Amplifier

•

Complement to KSA643

Collector Power Dissipation : P =500mW

Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

TO-92

1. Emitter 2. Base 3. Collector

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Ratings

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

CBO

CEO

EBO

500

°C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

500

150

-55 ~ 150

°C

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

I =100µA, I =0

CBO

CEO

EBO

I =10mA, I =0

C B

I =100µA, I =0

=25V, I =0

0.1

400

0.4

µA

CBO

EBO

Emitter Cut-off Current

=3V, I =0

DC Current Gain

=1V, I =0.1A

(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

I =0.5A, I =50mA

0.18

Classification

120 ~ 240

40 ~ 80

70 ~ 140

200 ~ 400

Rev. A2, November 2002

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