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KSD288Y PDF预览

KSD288Y

更新时间： 2024-09-23 21:00:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSD288Y 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：55 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSD288Y 数据手册

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KSD288  
Power Regulator  
Low Frequency High Power Amplifier  
•
•
Collector-Base Voltage : V  
=80V  
CBO  
Collector Dissipation : P =25W(T =25°C)  
C
C
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
80  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
55  
5
V
I
3
25  
A
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =500µA, I =0  
80  
55  
5
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =10mA,I =0  
V
C
B
I =500µA, I =0  
V
E
C
I
V
=50V,I =0  
50  
240  
1
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=5V,I =0.5A  
40  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I =1A, I =0.1A  
V
CE  
C
B
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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KSD288Y 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSD288YTU FAIRCHILD

完全替代

 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti

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