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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSD1020Y
KSD1020Y PDF预览

KSD1020Y

更新时间： 2024-11-24 13:02:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体音频放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92S, 3 PIN

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KSD1020Y 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92S包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.91最大集电极电流 (IC)：0.7 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：170 MHz
Base Number Matches：1

KSD1020Y 数据手册

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KSD1020  
Audio Frequency Amplifier  
•
Complement to KSB810  
TO-92S  
1.Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
CBO  
25  
V
CEO  
EBO  
5.0  
V
I
I
Collector Current (DC)  
* Collector Current (Pulse)  
700  
mA  
A
C
1.0  
CP  
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
350  
mW  
°C  
°C  
C
T
150  
J
T
-55 ~ 150  
STG  
* PW≤10ms, Duty Cycle≤50%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
100  
100  
400  
Units  
I
I
V
V
=30V, I =0  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
=5V, I =0  
C
h
h
V
V
=1V, I =100mA  
120  
35  
200  
140  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=1V, I =700mA  
C
V
V
V
(on)  
(sat)  
(sat)  
Base-Emitter On Voltage  
V
=6V, I =10mA  
600  
640  
0.2  
700  
0.4  
1.2  
25  
mV  
V
BE  
CE  
BE  
CE  
C
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I =700mA, I =70mA  
C B  
I =700mA, I =70mA  
0.95  
13  
V
C
B
C
V
=6V, I =0, f=1MHz  
pF  
MHz  
ob  
CB  
CE  
E
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
=6V, I =10mA  
50  
170  
T
C
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤ 2%  
h
Classification  
FE1  
Classification  
Y
G
h
120 ~ 240  
200 ~ 400  
FE1  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B2, April 2004  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSD1020-Y SAMSUNG

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