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KSC900CGTA

更新时间： 2024-01-06 04:28:22
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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KSC900CGTA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.7
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

KSC900CGTA 数据手册

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KSC900  
Low Frequency & Low Noise Amplifier  
•
•
•
Collector-Base Voltage : V  
Low Noise Level : NL=50mV (MAX)  
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
=30V  
CBO  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
25  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
50  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
250  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
30  
25  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =10mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=25V, I =0  
50  
100  
1000  
0.2  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
=3V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=3V, I =0.5mA  
120  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Noise Level  
I =20mA, I =2mA  
0.1  
0.62  
100  
30  
V
V
CE  
C
B
V
=3V, I =0.5mA  
0.7  
BE  
CE  
CE  
CC  
C
f
V
=3V, I =1mA  
MHz  
mV  
T
C
NL  
V
=12V, I =0.1mA  
50  
C
R =25kΩ  
S
A =80dB, f=1KHz  
V
h
Classification  
FE  
Classification  
Y
G
L
350 ~ 700  
V
h
120 ~ 240  
200 ~ 400  
600 ~ 1000  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, September 2002  
1234

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