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KSC1394R PDF预览

KSC1394R

更新时间： 2024-02-21 22:46:21
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92,

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KSC1394R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.92
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.02 A
基于收集器的最大容量：0.5 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：700 MHzBase Number Matches：1

KSC1394R 数据手册

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KSC1394  
TV VHF Tuner Mixer  
•
•
•
High Current Gain Bandwidth Product : f =700MHz  
T
High Power Gain : G =20dB (MIN.) at f=200MHz  
PE  
Low Noise Figure : NF=3.5dB (MAX.) at f=200MHz  
TO-92  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
30  
30  
CBO  
V
CEO  
EBO  
4
V
I
20  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
250  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
30  
30  
4
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =5mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
V
=20V, I =0  
0.1  
180  
0.7  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=10V, I =2mA  
40  
400  
20  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Reverse Transfer Capacitance  
Power Gain  
I =10mA, I =1mA  
V
MHz  
pF  
CE  
C
B
f
V
=10V, I =3mA  
700  
T
CE  
CB  
CE  
C
C
V
V
=10V, I =0, f=1MHz,  
0.35  
0.5  
3.5  
RE  
E
G
=6V, I =3mA  
dB  
PE  
C
f=200MHz  
NF  
Noise Figure  
V
=6V, I =3mA  
dB  
CE  
C
R =50Ω,f=200MHz  
S
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
60 ~ 140  
90 ~ 180  
FE  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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