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KSA539O

更新时间： 2024-11-24 23:15:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
Low Frequency Amplifier

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KSA539O 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.79
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSA539O 数据手册

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KSA539  
Low Frequency Amplifier  
•
•
•
•
Complement to KSC815  
Collector-Base Voltage: V  
Collector Power Dissipation: P = 400mW  
= -60V  
CBO  
C
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-45  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-200  
400  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-60  
-45  
-5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
= -100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -10mA, I =0  
C B  
I = -10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= -45V, I =0  
-100  
-100  
240  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
V
= -3V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
= -1V I = -50mA  
40  
FE  
C
V
V
V
(on)  
(sat)  
(sat)  
Base-Emitter On Voltage  
= -1V, I = -10mA  
-0.60  
-0.65  
-0.25  
-0.9  
-0.90  
-0.5  
V
V
V
BE  
CE  
BE  
C
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I = -150mA, I = -15mA  
C B  
I = -150mA, I = -15mA  
-1.2  
C
B
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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