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KRA120

更新时间： 2024-02-12 12:32:52

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KEC		晶体晶体管开关局域网
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7页	74K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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KRA120 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	24
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

KRA120 数据手册

SEMICONDUCTOR

KRA116~KRA122

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

SWITCHING APPLICATION.

INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION

FEATURES

· With Built-in Bias Resistors.

· Simplify Circuit Design.

· Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

1.00

1.27

0.85

0.45

14.00 +0.50

0.55 MAX

2.30

EQUIVALENT CIRCUIT

BIAS RESISTOR VALUES

0.45 MAX

1.00

TYPE NO.

KRA116

KRA117

KRA118

KRA119

KRA120

KRA121

KRA122

R1(kΩ ) R2(kΩ )

OUT

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

2.2

4.7

TO-92

4.7

COMMON(+)

100

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_O

RATING

-50

UNIT

Output Voltage

KRA116∼ 122

KRA116

KRA117

KRA118

KRA119

KRA120

KRA121

KRA122

-10, 5

-12, 10

-12, 5

-20, 7

-30, 10

-40, 15

-40, 10

-100

V_I

Input Voltage

I_O

P_D

T_j

Output Current

℃

Power Dissipation

625

KRA116∼ 122

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55∼ 150

℃

2009. 2. 25

Revision No : 0

1/7

12 3 4 5 6 7

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