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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.83 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | S-PDFM-D2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 225 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 5 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KP848-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, |
|
| KP848E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, |
|
| KP883C02 | FUJI |
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SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
| KP8LU07 | SHINDENGEN |
获取价格 |
TSS KP Series |
|
| KP8M10 | TYSEMI |
获取价格 |
Low on-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package. |
|
| KP8M10 | KEXIN |
获取价格 |
Switching |
|
| KP8M3 | TYSEMI |
获取价格 |
Low on-resistance Built-in G-S Protection Diode Built-in G-S Protection Diode |
|
| KP8M3 | KEXIN |
获取价格 |
Switching |
|
| KP8M4 | TYSEMI |
获取价格 |
Low on-resistance Built-in G-S Protection Diode Small and Surface Mount Package |
|
| KP8M4 | KEXIN |
获取价格 |
Switching |
|
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