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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.58 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | S-PUFM-D2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 225 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 5 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| KP848E3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, |
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| KP883C02 | FUJI | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| KP8LU07 | SHINDENGEN | TSS KP Series |
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| KP8M10 | TYSEMI | Low on-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package. |
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| KP8M10 | KEXIN | Switching |
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| KP8M3 | TYSEMI | Low on-resistance Built-in G-S Protection Diode Built-in G-S Protection Diode |
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