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KMZ51,115 PDF预览

KMZ51,115

更新时间: 2024-11-29 19:53:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 传感器换能器
页数 文件大小 规格书
8页 59K
描述
Magnetic Field Sensor, MAGNETIC FIELD SENSOR-MAGNETORESISTIVE, -.25-0.25mT, RECTANGULAR, THROUGH HOLE MOUNT, 3.9 MM WIDTH, PLASTIC, SOT-96-1, SO-8

KMZ51,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:3.9 MM WIDTH, PLASTIC, SOT-96-1, SO-8Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.56主体宽度:3.9 mm
主体高度:1.35 mm主体长度或直径:4.9 mm
外壳:PLASTIC滞后:2 mT
JESD-609代码:e4最大磁场范围:0.25 mT
最小磁场范围:-0.25 mT安装特点:THROUGH HOLE MOUNT
轴数:1端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
输出:BRIDGE输出类型:ANALOG VOLTAGE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:SOP8,.25
封装形状/形式:RECTANGULAR电源:5 V
电阻:3000 Ω灵敏度(mV / G):16 mV/G
传感器/换能器类型:MAGNETIC FIELD SENSOR,MAGNETORESISTIVE子类别:Other Sensors
表面贴装:NO端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端接类型:SOLDERBase Number Matches:1

KMZ51,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
M
KMZ51  
Magnetic field sensor  
Product specification  
2000 Jun 13  
Supersedes data 1998 Mar 24  

KMZ51,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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