KMZ10B

更新时间： 2024-02-11 10:50:06

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恩智浦 - NXP		传感器换能器磁场传感器
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8页	71K
描述
Magnetic field sensor

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KMZ10B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SIP4,.05,50	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.77	主体宽度：	1.7 mm
主体高度：	6.7 mm	主体长度或直径：	4.6 mm
线性度 (%)：	6.5 %	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
轴数：	2	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SIP4,.05,50
封装形状/形式：	RECTANGULAR	传感器/换能器类型：	MAGNETIC FIELD SENSOR,MAGNETORESISTIVE
最大供电电压：	10 V	表面贴装：	NO
端接类型：	SOLDER	Base Number Matches：	1

KMZ10B 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Magnetic ﬁeld sensor

KMZ10B

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).

SYMBOL

PARAMETER

bridge supply voltage

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_CC

P_tot

−

total power dissipation

storage temperature

up to T_amb= 130 °C

120

°C

T_stg

−65

−40

+150

T_bridge

bridge operating temperature

°C

MSA927

150

handbook, halfpage

tot

(mW)

100

150

amb

( C)

Fig.3 Power derating curve.

1998 Mar 31

1 234 5 6 7 8

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