KMZ10B

更新时间： 2024-01-12 16:31:29

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恩智浦 - NXP		传感器换能器磁场传感器
页数	文件大小	规格书
8页	71K
描述
Magnetic field sensor

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KMZ10B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SIP4,.05,50	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.77	主体宽度：	1.7 mm
主体高度：	6.7 mm	主体长度或直径：	4.6 mm
线性度 (%)：	6.5 %	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
轴数：	2	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SIP4,.05,50
封装形状/形式：	RECTANGULAR	传感器/换能器类型：	MAGNETIC FIELD SENSOR,MAGNETORESISTIVE
最大供电电压：	10 V	表面贴装：	NO
端接类型：	SOLDER	Base Number Matches：	1

KMZ10B 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Magnetic ﬁeld sensor

KMZ10B

DESCRIPTION

The KMZ10B is a sensitive magnetic field sensor,

employing the magnetoresistive effect of thin-film

permalloy. Its properties enable this sensor to be used in a

wide range of applications for current and field

measurement, revolution counters, angular or linear

position measurement, proximity detectors, etc.

handbook, halfpage

PINNING

2 3 4

MGD806

SYMBOL

DESCRIPTION

+V_O

GND

−V_O

V_CC

output voltage

ground

output voltage

supply voltage

Fig.1 Simplified outline SOT195.

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL

PARAMETER

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CC

H_y

H_x

bridge supply voltage

magnetic ﬁeld strength

−

−2

−

kA/m

auxiliary ﬁeld

sensitivity

−

mV ⁄ V

----------------

kA ⁄ m

R_bridge

V_offset

bridge resistance

offset voltage

1.6

−

2.6

kΩ

−1.5

+1.5

mV/V

CIRCUIT DIAGRAM

MLC716

handbook, full pagewidth

GND

–V

Fig.2 Simplified circuit diagram.

1998 Mar 31

123 4 5 6 7 8

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