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KMM374S203CT-GH0

更新时间: 2024-02-17 09:48:19
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 145K
描述
DRAM Module, 2MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168

KMM374S203CT-GH0 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
JESD-30 代码:R-XDMA-N168长度:133.35 mm
内存密度:150994944 bit内存集成电路类型:DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX72
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
座面最大高度:35.055 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:2.54 mm
Base Number Matches:1

KMM374S203CT-GH0 数据手册

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KMM374S203CT  
PC100 SDRAM MODULE  
Revision History  
Revision .0 (Feb. 1998)  
- Input leakage Currents (Inputs / DQ) of Component level are changed.  
IIL(Inputs) : ± 5uA to ± 1uA, IIL(DQ) : ± 5uA to ± 1.5uA.  
- Cin to be measured at V DD = 3.3V, TA = 23°C, f = 1MHz, V REF =1.4V ± 200 mV.  
Revision .1 (Mar. 1998)  
AC Operating Condition is changed as defined :  
- VIH(max) = 5.6V AC. The overshoot voltage duration is £ 3ns.  
VIL(min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is £ 3ns.  
REV. 1 Mar. '98  

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