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KMM366F804CS1-5

更新时间： 2023-01-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器
页数 文件大小 规格书
20页 456K
描述
EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168

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KMM366F804CS1-5 数据手册

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DRAM MODULE  
KMM366F80(8)4CS1  
CAPACITANCE (TA = 25°C, VCC=3.3V, f = 1MHz)  
Item  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Input capacitance[A0-A12]  
CIN1  
CIN2  
CIN3  
CIN4  
CDQ  
50  
38  
24  
24  
24  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
-
-
-
-
-
Input capacitance[W0, W2, OE0, OE2]  
Input capacitance[RAS0 - RAS3]  
Input capacitance[CAS0 - CAS7]  
Input/Output capacitance[DQ0-DQ63]  
AC CHARACTERISTICS (0°C£TA£70°C, VCC=3.3V±0.3V. See notes 1,2.)  
Test condition : Vih/Vil=2.2/0.7V, Voh/Vol=2.0/0.8V, output loading CL=100pF  
-5  
-6  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Note  
Min  
84  
Max  
Min  
104  
153  
Max  
Random read or write cycle time  
Read-modify-write cycle time  
Access time from RAS  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ms  
ns  
ns  
ns  
tRC  
128  
tRWC  
tRAC  
tCAC  
tAA  
50  
13  
25  
60  
15  
30  
3,4,9  
3,4,5  
3,9  
3
Access time from CAS  
Access time from column address  
CAS to output in Low-Z  
3
3
3
3
tCLZ  
tOLZ  
tCEZ  
tT  
OE to output in Low-Z  
3
Output buffer turn-off delay from CAS  
Transition time(rise and fall)  
RAS precharge time  
3
13  
50  
3
13  
50  
6,12  
2
1
1
30  
50  
8
40  
60  
10  
40  
10  
20  
15  
5
tRP  
RAS pulse width  
10K  
10K  
tRAS  
tRSH  
tCSH  
tCAS  
tRCD  
tRAD  
tCRP  
tASR  
tRAH  
tASC  
tCAH  
tRAL  
tRCS  
tRCH  
tRRH  
tWCH  
tWP  
RAS hold time  
CAS hold time  
38  
8
CAS pulse width  
10K  
37  
10K  
45  
RAS to CAS delay time  
17  
12  
5
4
9
RAS to column address delay time  
CAS to RAS precharge time  
Row address set-up time  
Row address hold time  
25  
30  
0
0
7
10  
0
Column address set-up time  
Column address hold time  
Column address to RAS lead time  
Read command set-up time  
Read command hold referenced to CAS  
Read command hold referenced to RAS  
Write command hold time  
Write command pulse width  
Write command to RAS lead time  
Write command to CAS lead time  
Data set-up time  
0
13  
13  
7
10  
30  
0
25  
0
0
0
8
8
0
0
7
10  
10  
10  
10  
0
7
8
tRWL  
tCWL  
tDS  
7
16  
0
Data hold time  
7
10  
tDH  
Refresh period (4K & 8K Ref.)  
Write command set-up time  
CAS to W delay time  
64  
64  
tREF  
tWCS  
tCWD  
tRWD  
0
0
7
7, 15  
7
33  
70  
38  
84  
RAS to W delay time  
1234567...20

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