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KM732V589G-17

更新时间: 2024-11-15 21:01:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 539K
描述
Cache SRAM, 32KX32, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, QFP-100

KM732V589G-17 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:QFP, QFP100,.7X.9针数:100
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:9 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:100字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX32输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP封装等效代码:QFP100,.7X.9
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3 mm最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.16 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.13 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mmBase Number Matches:1

KM732V589G-17 数据手册

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