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KM68U1000ELTG-10L0

更新时间: 2024-09-25 19:59:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 174K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

KM68U1000ELTG-10L0 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.78
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:20.47 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3 mm最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:11.43 mmBase Number Matches:1

KM68U1000ELTG-10L0 数据手册

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Preliminary  
KM68V1000E, KM68U1000E Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
128Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Data  
Remark  
0.0  
Design target  
September 9, 1998  
Preliminary  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserves the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
1
Revision 0.0  
September 1998  

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