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KM68U1000ELTG-7L

更新时间: 2024-09-25 18:18:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 249K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

KM68U1000ELTG-7L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, TSSOP32,.56,20
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.86最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:20.47 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:TSSOP32,.56,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3 mm
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11.43 mmBase Number Matches:1

KM68U1000ELTG-7L 数据手册

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