是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM68B1001J-12 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 12ns, PDSO32 | |
KM68B1001J-15 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 15ns, PDSO32 | |
KM68B1001P-12 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 12ns, PDIP32 | |
KM68B1001P-15 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 15ns, PDIP32 | |
KM68B1002J-10 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 10ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
KM68B1002J-12 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 12ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
KM68B1002J-15 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 15ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
KM68B1002J-8 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 8ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
KM68B1002J-9 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 9ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
KM68B1002P10 | SAMSUNG |
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SRAM |