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KM68B1001P-12

更新时间: 2024-09-28 20:52:19
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 332K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, PDIP32

KM68B1001P-12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DIP, DIP32,.4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:12 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大压摆率:0.18 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

KM68B1001P-12 数据手册

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