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KM68B1002J-8

更新时间: 2024-02-29 15:55:26
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 信息通信管理静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 306K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 8ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

KM68B1002J-8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ32,.44
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.84最长访问时间:8 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0长度:20.96 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.76 mm
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.175 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:BICMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

KM68B1002J-8 数据手册

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