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KM684002CJ-20

更新时间： 2024-02-23 19:18:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 183K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36

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KM684002CJ-20 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ, SOJ36,.44针数：36
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.46
最长访问时间：20 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J36JESD-609代码：e0
长度：23.5 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：36
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ36,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.76 mm最大待机电流：0.02 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.185 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mm

KM684002CJ-20 数据手册

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PRELIMINARY  
CMOS SRAM  
KM684002C, KM684002CE, KM684002CI  
AC CHARACTERISTICS(TA=0 to 70°C, VCC=5.0V±10%, unless otherwise noted.)  
TEST CONDITIONS*  
Parameter  
Value  
Input Pulse Levels  
0V to 3V  
3ns  
Input Rise and Fall Times  
Input and Output timing Reference Levels  
Output Loads  
1.5V  
See below  
* The above test conditions are also applied at extended and industrial temperature range.  
Output Loads(A)  
DOUT  
Output Loads(B)  
for tHZ, tLZ, tWHZ, tOW, tOLZ & tOHZ  
+5.0V  
RL = 50W  
VL = 1.5V  
30pF*  
480W  
DOUT  
ZO = 50W  
255W  
5pF*  
* Including Scope and Jig Capacitance  
* Capacitive Load consists of all components of the  
test environment.  
READ CYCLE*  
KM684002C-10  
KM684002C-12  
KM684002C-15  
KM684002C-20  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Min  
10  
-
Max  
Min  
12  
-
Max  
Min  
15  
-
Max  
Min  
20  
-
Max  
Read Cycle Time  
tRC  
tAA  
tCO  
tOE  
tLZ  
-
10  
10  
5
-
12  
12  
6
-
15  
15  
7
-
20  
20  
9
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Access Time  
Chip Select to Output  
-
-
-
-
Output Enable to Valid Output  
Chip Enable to Low-Z Output  
Output Enable to Low-Z Output  
Chip Disable to High-Z Output  
Output Disable to High-Z Output  
Output Hold from Address  
Chip Selection to Power Up Time  
Chip Selection to Power Down-  
-
-
-
-
3
-
3
-
3
-
3
-
tOLZ  
tHZ  
tOHZ  
tOH  
tPU  
0
-
0
-
0
-
0
-
0
5
0
6
0
7
0
9
0
5
0
6
0
7
0
9
3
-
3
-
3
-
3
-
0
-
0
-
0
-
0
-
tPD  
-
10  
-
12  
-
15  
-
20  
* The above parameters are also guaranteed at extended and industrial temperature range.  
Rev 3.0  
March 2000  
- 5 -  
123456789

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