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KM684002CJ-10000

更新时间: 2024-02-09 03:31:15
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 183K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36

KM684002CJ-10000 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:36
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.83
最长访问时间:10 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J36
长度:23.5 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:36
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.76 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

KM684002CJ-10000 数据手册

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PRELIMINARY  
CMOS SRAM  
KM684002C, KM684002CE, KM684002CI  
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (OE= Clock)  
tWC  
Address  
tWR(5)  
tAW  
OE  
tCW(3)  
CS  
tWP(2)  
tAS(4)  
WE  
tDW  
tDH  
High-Z  
Data in  
Data out  
Valid Data  
tOHZ(6)  
High-Z(8)  
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (OE=Low Fixed)  
tWC  
Address  
tWR(5)  
tAW  
tCW(3)  
CS  
tAS(4)  
tWP1(2)  
WE  
tDH  
tDW  
High-Z  
Data in  
Valid Data  
tWHZ(6)  
tOW  
(10)  
(9)  
High-Z(8)  
Data out  
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(3) (CS = Controlled)  
tWC  
Address  
tAW  
tWR(5)  
tCW(3)  
tWP(2)  
CS  
tAS(4)  
WE  
tDH  
tDW  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
Data in  
Data out  
Valid Data  
tLZ  
tWHZ(6)  
High-Z(8)  
Rev 3.0  
March 2000  
- 7 -  

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