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KM684002AJE-2000

更新时间： 2024-11-30 14:51:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 153K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36

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KM684002AJE-2000 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：36
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.83
Is Samacsys：N最长访问时间：20 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-J36长度：23.5 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：36字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

KM684002AJE-2000 数据手册

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PRELIMINARY  
KM684002A, KM684002AE, KM684002AI  
CMOS SRAM  
Document Title  
512Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out.  
Operated at Commercial Temperature Range.  
Revision History  
RevNo.  
Rev. 0.0  
Rev. 0.5  
History  
Draft Data  
Remark  
Initial release with Design Target.  
Jun. 14th, 1996  
Sep. 16th, 1996  
Design Target  
Preliminary  
Release to Preliminary Data Sheet.  
0.1. Replace Design Target to Preliminary.  
0.2. Delete 12ns part but add 17ns part.  
0.3. Relax D.C and A.C parameters and insert new parameter(Icc1)  
with the test condition.  
0.3.1. Insert Icc1 parameter with the test condition as address is  
increased with binary count.  
0.3.2. Relax D.C and A.C parameters.  
Previous spec.  
(15/ - /20ns part)  
190/ - /180mA  
10/ - /12ns  
Relaxed spec.  
(15/17/20ns part)  
220/215/210mA  
12/13/14ns  
Items  
Icc  
tCW  
tAW  
10/ - /12ns  
12/13/14ns  
tWP(OE=H)  
tWP1(OE=L)  
tDW  
10/ - /12ns  
12/ - /14ns  
7/ - /9ns  
12/13/14ns  
15/17/20ns  
8/9/10ns  
Rev. 1.0  
Release to Final Data Sheet.  
Jun. 5th, 1997  
Final  
1.1. Delete Preliminary.  
1.2. Delete Icc1 parameter with the test condition.  
1.3. Update D.C parameters.  
Previous spec.  
Items  
Updated spec.  
(15/17/20ns part)  
170/165/160mA  
(15/17/20ns part)  
Icc  
220/215/210mA  
1.4. Add the test condition for VOH1 with Vcc=5V±5% at 25°C  
1.5. Add timing diagram to define tWP as ²(Timing Wave Form of  
Write Cycle(CS=Low fixed)²  
Rev. 2.0  
2.1 Add extended and industrial temperature range parts.  
Jun. 5th, 1997  
Final  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
Rev 2.0  
February 1998  
- 1 -  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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