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KM48C2100CS-L5 PDF预览

KM48C2100CS-L5

更新时间： 2024-01-24 16:50:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 341K
描述
Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-28

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KM48C2100CS-L5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP2, TSOP28,.34
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.91访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP28,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.00025 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.11 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mm

KM48C2100CS-L5 数据手册

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KM48C2000C, KM48C2100C  
KM48V2000C, KM48V2100C  
CMOS DRAM  
AC CHARACTERISTICS (Continued)  
-5  
-6  
Parameter  
Symbol  
Units  
Note  
Min  
0
Max  
Min  
0
Max  
Data set-up time  
Data hold time  
ns  
ns  
ms  
ms  
ms  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
us  
ns  
ns  
9
9
tDS  
10  
10  
tDH  
Refresh period (2K, Normal)  
32  
64  
32  
64  
tREF  
tREF  
tREF  
tWCS  
tCWD  
tRWD  
tAWD  
tCPWD  
tCSR  
tCHR  
tRPC  
tCPA  
tPC  
Refresh period (4K, Normal)  
Refresh period (L-ver)  
128  
128  
Write command set-up time  
0
0
7
7
7
7
CAS to W delay time  
36  
73  
48  
53  
5
40  
85  
55  
60  
5
RAS to W delay time  
Column address to W delay time  
CAS precharge to W delay time  
CAS set-up time (CAS -before-RAS refresh)  
CAS hold time (CAS -before-RAS refresh)  
RAS to CAS precharge time  
10  
5
10  
5
Access time from CAS precharge  
Fast Page cycle time  
30  
35  
3
35  
76  
10  
50  
30  
40  
85  
10  
60  
35  
Fast Page read-modify-write cycle time  
CAS precharge time (Fast Page cycle)  
RAS pulse width (Fast Page cycle)  
RAS hold time from CAS precharge  
OE access time  
tPRWC  
tCP  
200K  
13  
200K  
15  
tRASP  
tRHCP  
tOEA  
tOED  
tOEZ  
tOEH  
tWTS  
tWTH  
tWRP  
tWRH  
tRASS  
tRPS  
tCHS  
OE to data delay  
13  
0
15  
0
Output buffer turn off delay time from OE  
OE command hold time  
13  
15  
6
13  
10  
10  
10  
10  
100  
90  
-50  
15  
Write command set-up time (Test mode in)  
Write command hold time (Test mode in)  
W to RAS precharge time(C-B-R refresh)  
W to RAS hold time(C-B-R refresh)  
RAS pulse width (C-B-R self refresh)  
RAS precharge time (C-B-R self refresh)  
CAS hold time (C-B-R self refresh)  
10  
11  
11  
10  
10  
10  
100  
110  
-50  
13,14,15  
13,14,15  
13,14,15  
1...3456789...20

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STM32F103C8T6 替代型号

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