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KM48C2100CS-L5 PDF预览

KM48C2100CS-L5

更新时间： 2024-02-12 21:18:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 341K
描述
Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-28

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KM48C2100CS-L5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP2, TSOP28,.34
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.91访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP28,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.00025 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.11 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mm

KM48C2100CS-L5 数据手册

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KM48C2000C, KM48C2100C  
KM48V2000C, KM48V2100C  
CMOS DRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Parameter  
Symbol  
Units  
3.3V  
-0.5 to +4.6  
-0.5 to +4.6  
-55 to +150  
1
5V  
Voltage on any pin relative to VSS  
Voltage on VCC supply relative to VSS  
Storage Temperature  
VIN,VOUT  
VCC  
-1.0 to +7.0  
-1.0 to +7.0  
-55 to +150  
1
V
V
Tstg  
PD  
°C  
W
Power Dissipation  
Short Circuit Output Current  
IOS  
50  
50  
mA  
* Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded. Functional operation should be restricted  
to the conditions as detailed in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum rating conditions for  
extended periods may affect device reliability.  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (Voltage referenced to Vss, TA= 0 to 70°C)  
3.3V  
Typ  
3.3  
0
5V  
Typ  
5.0  
0
Parameter  
Symbol  
Units  
Min  
3.0  
0
Max  
3.6  
0
Min  
4.5  
0
Max  
5.5  
0
Supply Voltage  
VCC  
VSS  
VIH  
VIL  
V
V
V
V
Ground  
*1  
*1  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
2.0  
-
2.4  
-
VCC+0.3  
0.8  
VCC+1.0  
0.8  
*2  
*2  
-
-
-0.3  
-1.0  
*1 : VCC+1.3V/15ns(3.3V), VCC+2.0V/20ns(5V), Pulse width is measured at VCC  
*2 : -1.3V/15ns(3.3V), -2.0V/20ns(5V), Pulse width is measured at VSS  
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS (Recommended operating conditions unless otherwise noted.)  
Max  
Parameter  
Symbol  
Min  
Max  
Units  
Input Leakage Current (Any input 0£VIN£VIN+0.3V,  
all other input pins not under test=0 Volt)  
II(L)  
-5  
5
uA  
Output Leakage Current  
(Data out is disabled, 0V£VOUT£VCC)  
IO(L)  
-5  
5
uA  
3.3V  
Output High Voltage Level(IOH=-2mA)  
Output Low Voltage Level(IOL=2mA)  
VOH  
VOL  
2.4  
-
-
V
V
0.4  
Input Leakage Current (Any input 0£VIN£VIN+0.5V,  
all other input pins not under test=0 Volt)  
II(L)  
-5  
-5  
5
5
uA  
uA  
Output Leakage Current  
(Data out is disabled, 0V£VOUT£VCC)  
IO(L)  
5V  
Output High Voltage Level(IOH=-5mA)  
Output Low Voltage Level(IOL=4.2mA)  
VOH  
VOL  
2.4  
-
-
V
V
0.4  
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