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KM44C1000DT-L5 PDF预览

KM44C1000DT-L5

更新时间： 2024-11-25 14:51:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 372K
描述
Fast Page DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20

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KM44C1000DT-L5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP2, TSOP20/26,.36
针数：20Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.56访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G20
JESD-609代码：e0长度：17.14 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：20
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP20/26,.36
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.0002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.085 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

KM44C1000DT-L5 数据手册

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KM44C1000D, KM44V1000D  
CMOS DRAM  
1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode  
DESCRIPTION  
This is a family of 1,048,576 x 4bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory cells  
within the same row. Power supply voltage (+5V or +3.3V), access time (-5, -6 or -7), power consumption(Normal or Low power), and  
package type (SOJ or TSOP-II) are optional features of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and  
Hidden refresh capabilities. Furthermore, self-refresh operation is available in 3.3V Low power version.  
This 1Mx4 Fast Page Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power  
consumption and high reliability. It may be used as main memory for main frames and mini computers, personal computer and high per-  
formance microprocessor systems.  
•
•
Fast Page Mode operation  
FEATURES  
CAS-before-RAS refresh capability  
• Part Identification  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Self-refresh capability (3.3V, L-ver only)  
• Fast parallel test mode capability  
- KM44C1000D/D-L(5V, 1K Ref.)  
- KM44V1000D/D-L(3.3V, 1K Ref.)  
• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
•
Early write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
• Active Power Dissipation  
Unit : mW  
5V  
•
Available in 26(20)-pin SOJ 300mil and TSOP(II)  
300mil packages  
Speed  
-5  
3.3V  
-
•
•
Single +5V±10% power supply(5V product)  
Single +3.3V±0.3V power supply(3.3V product)  
470  
-6  
220  
200  
415  
-7  
360  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
• Refresh Cycles  
RAS  
CAS  
W
Vcc  
Vss  
Part  
NO.  
Refresh  
cycle  
Refresh Period  
Control  
Clocks  
VBB Generator  
Normal  
L-ver  
KM44C1000D  
KM44V1000D  
1K  
16ms  
128ms  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
Data in  
Buffer  
Memory Array  
1,048,576 x4  
Cells  
DQ0  
to  
DQ3  
• Performance Range  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Speed  
-5  
Remark  
tRAC  
tCAC  
tRC  
tPC  
50ns 15ns 90ns 35ns 5V only  
60ns 15ns 110n 40ns 5V/3.3V  
70ns 20ns 130n 45ns 5V/3.3V  
Data out  
Buffer  
A0~A9  
-6  
Column Decoder  
OE  
-7  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...21

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM44C1000DT-L6 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM44C1000DT-L7 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM44C1002CJ-8 SAMSUNG

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 		Static Column DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
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 		Static Column DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20
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 		Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
KM44C1003CJ-L5 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
KM44C1003CJ-L7 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
KM44C1003CLTR-5 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24
KM44C1003CLTR-6 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24

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