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KM416V4004CS-6T

更新时间: 2024-01-01 22:20:56
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
36页 1602K
描述
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50

KM416V4004CS-6T 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP50,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:60 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G50JESD-609代码:e0
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16端子数量:50
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP50,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:NO最大待机电流:0.0005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.11 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KM416V4004CS-6T 数据手册

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