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KM416V4004BS-6

更新时间： 2024-09-26 14:51:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
36页	1202K
描述
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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KM416V4004BS-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数：	50	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.31	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
JESD-609代码：	e0	长度：	20.95 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.09 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM416V4004BS-6K	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50
KM416V4004BS-L45	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
KM416V4004BS-L5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
KM416V4004BS-L5K	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50
KM416V4004BS-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
KM416V4004BS-L6T	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50
KM416V4004BS-L6TH	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50
KM416V4004C	SAMSUNG	获取价格	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V4004CS-6T	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50
KM416V4004CS-L5T	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50